JSCJ製 SiCショットキーバリアダイオード 一覧
SiCショットキーダイオード（SiC Schottky Barrier Diode）は、炭化ケイ素（SiC）を材料としたパワー半導体デバイスです。従来のシリコンダイオードと比べて低損失で高速スイッチングが可能であり、高耐圧や高温環境にも対応できる特長があります。これにより、電源装置、インバータ、モータードライブ、太陽光発電システムなど幅広い分野で採用されています。
株式会社アクアスでは、JSCJ製SiCショットキーダイオードをはじめ、各種ディスクリート半導体を取り扱っています。用途や仕様に合わせた半導体製品の選定や、生産終了品の代替品、セカンドソースのご提案にも対応しておりますので、お気軽にお問い合わせください。
| Part Number | Status |
PD (W) |
IO (A) |
VR (V) |
VF (V) |
IR (uA) |
Qc (nC) |
Package |
| CSD06H65 | Active | 66 | 6 | 650 | 1.7 | 20 | 18 | TO-220-2L |
| CSD10H65 | Active | 66 | 10 | 650 | 1.8 | 20 | 21 | TO-220-2L |
| CSD10H120 | Active | 86 | 10 | 1200 | 1.8 | 50 | 50 | TO-220-2L |
| CSD20H65 | Active | 150 | 20 | 650 | 1.7 | 20 | 64 | TO-220-2L |
| CSD20H120 | Active | 118 | 20 | 1200 | 1.8 | 50 | 64 | TO-220-2L |
| CSDW20H65 | Active | 153 | 20 | 650 | 1.7 | 20 | 63 | TO-247-2L |
| CSDW20H120 | Active | 136 | 20 | 1200 | 1.8 | 50 | 92 | TO-247-2L |
| CSDW30H65 | Active | 197 | 30 | 650 | 1.8 | 20 | 85 | TO-247-2L |
| CSDW40H120 | Active | 312 | 40 | 1200 | 1.8 | 100 | 190 | TO-247-2L |
SiCショットキーダイオードのほかにも、JSCJでは
トランジスタ、MOSFET、ダイオードなどのディスクリート半導体を幅広くラインナップしています。
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