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2SD2137A JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)  
VCBO Collector-Base Voltage 80 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 3 A 3 A
PC Collector Power Dissipation 2 W
RθJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 63 ℃/W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃

 

hFE      
Rank Q P O
Range 70-150 120-250 160-320

 

*パッケージ:TO-220-3L

 

詳細は2SD2137A 英文仕様書にてご確認ください。

 

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お問合せはsales@ethosjapan.comまで