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2SD1757K JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

MAXIMUM RATINGS

(Ta=25℃ unless otherwise noted)

 
VCBO Collector-Base Voltage 30 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6.5 V
IC Collector Current -Continuous 500 mA
PC Collector Power Dissipation 200 mW
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃

 

hFE      
Rank Q R S
Range 120-270 180-390 270-560

 

*パッケージ: SOT-23

 

 

詳細は2SD1757K 英文仕様書にてご確認ください。

 

その他のJSCJ製品を検索する場合はコチラをご覧ください。

 

お問合せはsales@ethosjapan.comまで