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2SD1468S JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

MAXIMUM RATINGS

(Ta=25℃ unless otherwise noted)

 
V CBO Collector-Base Voltage 30 V
V CEO Collector-Emitter Voltage 15 V
V EBO Emitter-Base Voltage 5 V
I C Collector Current -Continuous 1 A
P C Collector Power Dissipation 300 mW
T J Junction Temperature 150 ℃
T stg Storage Temperature -55-150 ℃
hFE      
Rank Q R S
Range 120-270 180-390 270-560

 

*パッケージ:TO-92S

 

詳細は2SD1468S英文仕様書にてご確認ください。

 

その他のJSCJ製品を検索する場合はコチラをご覧ください。

 

お問合せはsales@ethosjapan.comまで