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2SD1306 JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

MAXIMUM RATINGS

(Ta=25℃ unless otherwise noted)

 
VCBO Collector -Base Voltage 30 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Continuous Collector Current 0.7 A
PC Collector Dissipation 0.15 W
RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/ W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃

 

hFE    
Rank D E
Range 250-500 400-800

 

*パッケージ:SOT-23

 

詳細は2SD1306 英文仕様書にてご確認ください。

 

その他のJSCJ製品を検索する場合はコチラをご覧ください。

 

お問合せはsales@ethosjapan.comまで