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2SD1247 JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

MAXIMUM RATINGS

(Ta=25℃ unless otherwise noted)

 
V CBO Collector-Base Voltage 30 V
V CEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 2.5 A
PC Collector Power Dissipation 1 W
R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 125 ℃ /W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃

 

hFE        
Rank R S T U
Range 100-200 140-280 200-400 280-560

 

*パッケージ:TO – 92MOD

 

詳細は2SD1247英文仕様書にてご確認ください。

 

その他のJSCJ製品を検索する場合はコチラをご覧ください。

 

お問合せはsales@ethosjapan.comまで