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2SD1138 JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Ta=25℃ unless otherwise specified)

 
VCBO Collector-Base Voltage 200 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 2 A
PC Collector Power Dissipation 1.8 W
RθJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 69 ℃/W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃

 

hFE    
Rank B C
Range 60-120 100-200

 

*パッケージ:TO-220-3L

 

詳細は2SD1138英文仕様書にてご確認ください。

 

その他のJSCJ製品を検索する場合はコチラをご覧ください。

 

お問合せはsales@ethosjapan.comまで