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2SD1119 JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Ta=25℃ unless otherwise specified)

 
VCBO Collector- Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 7 V
IC Collector Current -Continuous 3 A
PC Collector Dissipation 500 mW
TJ Junction Temperature 150℃
Tstg Storage Temperature -55~150℃

 

hFE    
Rank Q R
Range 230-380 340-600

 

*パッケージ:SOT-89-3L

 

詳細は2SD1119 英文仕様書にてご確認ください。

 

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お問合せはsales@ethosjapan.comまで