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2SD1005 JSCJ製 ディスクリート半導体 NPN バイポーラトランジスタ

 

弊社で正規販売店をしております中国大手半導体メーカーJSCJ製のトランジスタのご紹介です。

 

主な仕様

MAXIMUM RATINGS

(Ta=25℃ unless otherwise noted)

 
VCBO Collector-Base Voltage 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current 1 A
PC Collector Power Dissipation 500 mW
RθJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃

 

hFE      
Rank W V U
Range 90–180 135–270 200–400

 

*パッケージ:SOT-89-3L

 

詳細は2SD1005 英文仕様書にてご確認ください。

 

その他のJSCJ製品を検索する場合はコチラをご覧ください。

 

お問合せはsales@ethosjapan.comまで